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    奧氏體形成的步驟

    更新日期: 2023-01-18
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    逆共析轉變是高溫下進行的擴散性相變,轉變的全過程可以分為四個階段,即:奧氏體形核,奧氏體晶核長大,剩余滲碳體溶解,奧氏體成分相對均勻化。各種鋼的奧氏體形核形成過程有一些區別,亞共析鋼、過共析鋼、合金鋼的奧氏體化過程中除了奧氏體形成的基本過程外,還有先共析相的溶解、合金碳化物的溶解等過程。

    奧氏體形成的熱力學條件:必須存在過冷度或過熱度?T。

    1. 奧氏體形核

    奧氏體的形核位置通常在鐵素體和滲碳體兩相界面上,此外,珠光體領域的邊界,鐵素體嵌鑲塊邊界都可以成為奧氏體的形核地點。奧氏體的形成是不均勻形核,復合固態相變的一般規律。

    一般認為奧氏體在鐵素體和滲碳體交界面上形核。這是由于鐵素體碳含量極低(0.02%以下),而滲碳體的碳含量又很高(6.67%),奧氏體的碳含量介于兩者之間。在相界面上碳原子有吸附,含量較高,界面擴散速度又較快,容易形成較大的濃度漲落,使相界面某一區域達到形成奧氏體晶核所需的碳含量;此外在界面上能量也較高,容易造成能量漲落,以便滿足形核功的要求;在兩相界面處原子排列不規則,容易滿足結構漲落的要求。所有漲落在相界面處的優勢,造成奧氏體晶核最容易在此處形成。

    奧氏體的形核是擴散型相變,可在鐵素體與滲碳體上形核,也可在珠光體領域的交界面上形核,還可以在原奧氏體晶核上形核。這些界面易于滿足形核的能量、結構和濃度3個漲落條件。

    2. 奧氏體晶核的長大

    加熱到奧氏體相區,在高溫下,碳原子擴散速度很快,鐵原子和替換原子均能夠充分擴散,既能夠進行界面擴散,也能夠進行體擴散,因此奧氏體的形成是擴散型相變。

    3. 剩余碳化物溶解

    鐵素體消失后,在t1溫度下繼續保持或繼續加熱時,隨著碳在奧氏體中繼續擴散,剩余滲碳體不斷向奧氏體中溶解。

    4. 奧氏體成分均勻化

    當滲碳體剛剛全部融入奧氏體后,奧氏體內碳濃度仍是不均勻的,只有經歷長時間的保溫或繼續加熱,讓碳原子急性充分的擴散才能獲得成分均勻的奧氏體。

                                                   


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